IDEM 2021 ပွဲမှာ Intel ဟာ ဆီလီကွန်ခေတ်လွန်ကာလအကြောင်းကိုပြောကြားလာခဲ့ပါတယ်။ ၂၀၂၄မှာ Gate all around RibbonFET နည်းပညာကိုအသုံးပြုထားတဲ့ transistor နည်းပညာကို မှာဖြစ်ပါတယ်။ ဒါ့တင်မက Intel ဟာ အနာဂတ် processor တွေရဲ့ transistor density ကိုသိသိသာသာမြှင့်တင်ပေးနိုင်မယ့် 3D Stacked transistor ကိုလည်းပြသခဲ့ပါတယ်။
Intel ဟာ silicon transistor အခြေခံကွမ်တမ်ကွန်ပြူတာကိုလည်း ဖန်တီးဖို့ကြိုးစားနေပြီး စွမ်းအင်သုံးစွဲမှုအလွန်သက်သာတဲ့ နာနိုအရွယ်လျှပ်စစ်သံလိုက်တွေသုံးထားတဲ့ magnetoelectric spin-orbit (MESO) logic device နဲ့ switch တွေကို ပုံမှန်အခန်းအပူချိန်မှာသုံးနိုင်အောင်ဖန်တီးနေပါတယ်။ ဒီနည်းပညာဟာလက်ရှိ MOSFET transistor တွေနေရာကိုအစားထိုးမှာဖြစ်ပါတယ်။ လက်ရှိ MOSFET နည်းပညာနဲ့ chips တွေထုတ်လုပ်သလိုထုတ်လုပ်နိုင်အောင်ကြံရွယ်သုတေသနပြုသွားမယ်လို့ဆိုပါတယ်။
Source: hpcwire and OC3D
0 Comments